|
| Место происхождения: | Сиань Шэньси Китай |
| Фирменное наименование: | XINLAND |
| Сертификация: | CE |
| Номер модели: | XL-650LD100 |
■Спецификации
Длина волны: 650nm
Выходной сигнал: 5mW CW
Тип пакета: TO-18 (Φ5.6mm)
Высокая сила выхода: 230mW (ИМП ульс
Высокая эффективность: 0.95W/A (тип.)
Видимый свет: 658nm (тип.)
Низкий коэффициент сжатия (⊥ θ/θ //): 1,8 (тип.)
Низкое астигматическое расстояние: 1µm (тип.)
■Оценки bsolute максимальные (Tc=25℃)
|
Параметр |
Символы |
Оценки |
Блоки |
|
|
Оптически выход |
Po (CW) |
5 |
mW |
|
|
Обратный Напряжение тока |
Лазер |
Vr |
2 |
V |
|
PD PIN |
Vr (PIN) |
30 |
V |
|
|
Рабочая температура |
Верхняя часть |
-10 | +40 |
℃ |
|
|
Температура хранения |
Tstg |
-40 | +80 |
℃ |
|
XL-650LD100 высокомощное, высоко-эффективное AlGaInP
лазер полупроводника который обеспечивает стабилизированное, одиночный
колебание поперечного режима с длиной волны излучения
658nm и стандартный выходной сигнал ИМПа ульс 230mW.
XL-650LD100 имеет реальн-индекс-волновод который улучшает
эффективность наклона (уменьшение рабочего тока) и
астигматическое расстояние.
XL-650LD100 имеет окн-зеркал-фасетку которая улучшает
сила максимального выпуска продукции. Это водит к сильно надежному и
высокомощная деятельность на 75 °C.
■Электрические и оптически характеристики (Tc=25℃)
|
Параметр |
Символы |
Условия |
Минута |
Тип |
Макс |
Блоки |
|
|
Течение порога |
Ith |
- |
- |
12 |
16 |
мамы |
|
|
Рабочий ток |
Iop |
Po=5mW |
- |
18 |
22 |
мамы |
|
|
Рабочий потенциал |
Vop |
Po=5mW |
- |
2,3 |
2,6 |
Вольты |
|
|
Эффективность наклона |
η |
- |
0,6 |
0,8 |
1,0 |
mW/mA |
|
|
Течение монитора |
Im |
Po=5mW |
0,09 |
0,16 |
0,3 |
мамы |
|
|
Расхождение луча (FWHM) |
Параллельный |
‖ θ |
Po=5mW |
6 |
7 |
9 |
deg |
|
Перпендикуляр |
θ⊥ |
Po=5mW |
25 |
28 |
30 |
deg |
|
|
Параллельный угол отступления |
△‖ θ |
Po=5mW |
-3 |
- |
3 |
deg |
|
|
Перпендикулярный угол отступления |
△θ⊥ |
Po=5mW |
-3 |
- |
3 |
deg |
|
|
Точность пункта излучения |
△X, △Y, △Z |
Po=5mW |
-80 |
- |
80 |
um |
|
|
Длина волны Lasing |
λp |
Po=5mW |
645 |
655 |
665 |
nm |
|
